Главная > Новости > Новости индустрии > Особенности светодиодов и кристалов CREE GaN на SiC подложках

05.12.2010 Особенности светодиодов и кристалов CREE GaN на SiC подложках

С 2005 года две компании — Nichia Corporation и Cree — обеспечивают более 80% мирового производства кристаллов. Cree традиционно использует технологию эпитаксиального выращивания GaN на SiC подложках, а Nichia Corporation — на подложках из сапфира.
Технология CREE выращивания GaN на SiC обладает рядом принципиальных преимуществ перед технологией InGaN на сапфире. Во-первых, SiC обладает на порядок большей теплопроводностью (3,8 Вт / см К у SiC против 0,3 Вт / см К у сапфира). Это упрощает решение проблемы отвода тепла от активной области кристалла (pn — перехода), являющейся ключевой для кристаллов с токами более 100 мА. Во-вторых, кристаллическая решетка 6H-SiC обладает лучшим, по сравнению с сапфиром, родством с GaN, что принципиально снижает концентрацию дефектов и дислокаций в структуре GaN и повышает квантовый выход кристаллов.

Поскольку светодиоды MX3 имеют нестандартный корпус, Компания Мегапром использует в светодиодных прожекторах  Светодиоды Emitter c кристаллами CREE, White 100 лм. Однако по желанию клиентов для серийных заказов производятся светодиодные светильники (с модернизированной платой и драйверами тока) под оригинальные светодиоды CREE MX3.

Примечание: Реальные условия эксплуатации светодиодных прожекторов СДУ за 2009-2011 года показали устойчивую работу данных светодиодов в прожекторах СДУ-25, СДУ-40 при рабочих температурах -50…+60 С во всех регионах России, при условии реализации технологии "мегапром" прожекторов СДУ ( многоэлементные теплоотводы, технология пайки, специализированные термостабилизированные драйверы тока и д.р.)

     Новости
Яндекс 
цитирования